摘要:该文介绍了 4 种变速箱设计方法，并对它们进行时序分析。通过对比单元数量(面积)、功耗、速度及稳定性，选择了一种基于轮循存储方式的变速箱应用到 100GE 物理编码子层电路中。该变速箱可以在一段时间范围内开始输出，克服了输入输出时钟相位差的影响，提高了电路的速度和稳定性。经过结构优化及流水线结构设计，该变速箱的时钟速度超过 700 MHz。另外，采用 0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺对物理编码子层电路进行流片，测试结果表明该电路能够以 100 Gb/s 速率稳定工作，进一步证明了变速箱设计的正确性。

摘要:Wave-CAIPI 是一种利用多通道线圈和 k 空间螺旋轨迹采样来加速磁共振成像的新 3D 成像 方法。然而，Wave-CAIPI 采集的 3D 数据对于重建计算是巨大的。为了加速重建过程，该文使用基于图形处理器改进的共轭梯度算法实现了 Wave-CAIPI 重建，减少了重建时间。水模数据集和体内人 脑数据集的实验表明，基于图形处理器的 Wave-CAIPI 重建可以获得与传统基于中央处理器的 Wave-CAIPI 重建类似的图像结果，且重建效率显著提升。

摘要:智能车位锁通过其内置的磁阻传感器可实现车位状态的实时监控，并利用监控信息实现自 动缴费、车位预约和车位共享等应用。但车位锁上锁和落锁过程会产生磁场干扰，传统的停车检测算法没有考虑这类干扰，造成误检率高。为解决这一问题，该文提出了一种抗干扰的停车检测算法，将车辆磁信号建模为方差序列，根据干扰的特征提出干扰信号滤波方法，结合状态机实现了更 为稳定的停车状态检测。实地部署的 50 个智能车位锁实验结果表明，该算法具有更高的可靠性，并显著提高了车辆检测准确率。

摘要:直接的重复序列广泛地存在于真核和原核细胞基因组中，并且与多种疾病（如遗传性神经肌 肉神经退行性疾病等）相关，因此定量重复序列的删除变得非常重要。结合高通量显微成像和分析技术，该文设计了基于三色荧光报告系统的方法来定量重复序列删除的发生。结果显示，在铜绿假单胞菌中，重复序列的删除频率在 recA 基因缺失突变株中明显降低，而 RadA 蛋白和 UvrD 蛋白的缺失则会提高重复序列的删除频率，并且重复序列的删除与细菌的生长率和启动子等因素无关。该研究有助于加深对直接重复序列相关问题的理解，并为直接重复序列删除定量提供了新的方法。

摘要:缺血性脑卒中是一种急性脑血管病，目前主要的治疗手段是及时进行溶栓或取栓治疗以 实现血管再通，但这一过程会对脑血管造成严重的再灌注损伤，使血脑屏障的结构和功能受到破坏，增加脑出血的风险。有研究表明 Wnt/β-catenin 信号通路对血脑屏障的功能起重要调节作用，但Wnt/β-catenin 信号通路激活蛋白 R-spondin 对血脑屏障和脑损伤的调节作用尚不清楚。该文通过体外制备小鼠 R-spondin-1 重组蛋白，在小鼠原代脑血管内皮细胞中证实了 R-spondin-1 蛋白协同 Wnt3a蛋白对 Wnt/β-catenin 信号通路的激活作用，并发现 R-spondin-1 能够显著改变血脑屏障功能相关基因Cldn3 和 Plvap 的表达水平；在小鼠脑缺血再灌注模型中，静脉注射 R-spondin-1 重组蛋白具有降低 脑组织梗死和提高小鼠存活率的趋势，但与生理盐水对照组相比未达到显著性差异。另外，该文还报道了 R-spondin 蛋白对血脑屏障功能的分子作用机制，并初步鉴定了其对卒中后脑损伤的治疗效果和 临床应用潜力。

摘要:忆阻器作为除电阻、电容、电感外的第四种电路元件，具有非易失性的记忆特征，有望成为 类脑计算电路的基础元件。相对于传统互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，其在开关性能和工艺尺寸等方面仍需进一步提升。Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)材料在热效应下可进行可逆相变，也可在飞秒激光处 理下进行结晶。该文提出基于 Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)一维纳米线结构的忆阻器，为实现高性能与高集 成度的类脑电路提供了基础。首先，利用 X 射线衍射分析、拉曼散射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、霍尔效应测试等技术对 Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)材料进行了分析。结果显示，少量铋(Bi)元素的掺 杂可以降低材料的结晶温度，提高电阻率及材料的相变结晶速度，而晶格结构未改变。然后，在对材料表征的基础上，利用自制的飞秒激光纳米加工系统制备了宽度为 500 nm 的 Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)纳米带。最后，设计并制备了完整的 Ag/Ge2Sb2－xBixTe5/Ag 忆阻器，其电阻开关比可达～7 400，稳定循 环了 60 圈，保持了 3 250 s。

摘要:该文研究了悬浮电极介质阻挡放电装置(FE-DBD)产生的低温等离子体对偏二甲肼废水的降 解效果，并对处理条件进行优化。首先，对比了低温等离子体装置、氙灯和紫外灯降解偏二甲肼废水的效果；然后，考察了低温等离子体装置的放电间隙、初始溶液 pH、工作时间和氢氧化钠加投量对偏 二甲肼降解的影响；最后，探究了低温等离子体对偏二甲肼废水 pH 值的影响。实验结果表明，不加入其他试剂的情况下，低温等离子体装置降解偏二甲肼效果好于氙灯及紫外灯；装置放电间隙从 4 mm缩短至 2 mm，偏二甲肼降解率增加 47.2%。随着等离子体处理时间的增加，偏二甲肼的含量降低，处理 20 min 即可降解 82.1% 偏二甲肼。同时，低温等离子体处理会引起偏二甲肼废水 pH 值下降，处理10 min 后废水 pH 从 10 下降至 6.9。废水初始 pH 在 2～10 时，偏二甲肼降解率随废水 pH 值的升高而增大 ：与 pH＝2 相比，初始 pH＝10 时偏二甲肼降解率增加 65.9%。低温等离子体处理 10 min 后，往废水中加入氢氧化钠溶液至终浓度为 1 mg/mL，再继续处理 10 min，可将偏二甲肼降解率提高至 95%。

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